Souvenez-vous, le 16 septembre dernier, Intel annonçait la filialisation de son activité de fonderie en difficulté depuis 8 ans suite à son passage laborieux à la gravure 10 nm (aka. Intel 7). Depuis, les rumeurs et les annonces se multiplient, laissant deviner que la gravure Intel 20/18A, devant succéder à une Intel 4/3 déjà obsolète face à la concurrence, tout juste utilisée pour la gamme Meteor Lake (et uniquement sur la tuile CPU !), serait en grande difficulté. Et bien, il semblerait que Samsung soit dans la même galère !
Samsung : la fuite en avant ?
Commençons par une petite précision : 20 Angstrom = 2 nanomètres. Ce détail étant clarifié, la rumeur rapportée par TechPowerUp selon laquelle Samsung aurait commencé à convertir ses usines 3 et 4 nm vers le 2 nm serait un terrible aveu d’échec pour le coréen, sa gravure 3 nm étant elle aussi obsolète et ne trouvant pas de clients. Il faut dire que celle-ci, donnée pour une densité de 150 MTr/mm², peinait à rivaliser avec les 3 nm de TSMC donnés de 197 à 215 MTr/mm². À titre indicatif, la rumeur estime la densité d’Intel 4 à environ 170 MTr/mm².
On comprend donc bien la situation cornélienne dans laquelle se trouvent Intel et Samsung : ils doivent lâcher une proie bien vivante, mais non compétitive (leur 3 nm), dans laquelle ils ont investi des milliards de $, pour une ombre, le 2 nm, à l’avenir très incertain.
2025 : l’année couperet du 2 nm
C’est donc un all-in dans lequel se sont lancés Intel et Samsung pour rattraper TSMC dans la course au leadership technologique de la gravure des semi-conducteurs, et c’est en 2025 sur le 2 nm que tout va se jouer. La situation est tellement critique que certaines rumeurs laissent entendre qu’en cas d’échec le triopole pourrait se changer en duopole, voire même en monopole, ce qui serait une très (très) mauvaise nouvelle pour les consommateurs que nous sommes.
